齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,

齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对, PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电 PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理 稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩 pn结上加反向电压时,若pn结两端连着导线形成通路,为什么pn结中的载流子不会在电场力的作用下形成回路?此时pn结形成何种阻碍作用,为什么一定要使pn结被击穿才能形成回路? 为什么不对试探电荷产生的电场进行电场合成.在研究匀强电场里面的1个点的电场强度时,为什么不对试探电荷产生的电场和匀强电场进行电场合成. 二极管电击穿与热击穿有什么区别内部少子与多子是怎么流动的?这个PN结还在吗?是不是电击穿不一定损坏二极管,而热击穿肯定损坏二极管?雪崩击穿与齐纳击穿区别是什么? 为什么电场越均匀,击穿电压越高?均匀电场的自持放电电压就是他的击穿电压,但是不均匀电场的击穿电压要比自持放电电压高很多,这样,不均匀电场的击穿电压不是应该高于均匀电场的击穿 无限大均匀带电平板在空间内产生匀强电场.那么有限大的呢?产生的是匀强电场吗?为什么 日光灯为什么镇流器产生高压不会击穿启辉器日光灯的启辉器在220伏特的时候就可以击穿产生辉光,为什么在触点冷却后断开引发镇流器高压时不会被击穿呢,而是击穿灯管? 稳压管是在PN结反向击穿后使用,难道反向击穿不会破坏了PN结么? PN结内有电场,PN结两端为什么没有电压 关于二极管pn结,单向导电?为什么正负离子在界面附近孕育产生电场,然后这电场就能制止载流子进一步分在空间电荷区中,为什么正负离子在界面附近孕育产生了电场,然后这电场就能制止载流 稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩击穿时相反呢?希望真正懂的高手来赐教! 稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩击穿时相反呢? 希望真正懂的高手来赐教! 两个带等量异种电荷的金属板间产生匀强电场,那么在金属板外侧是否还存在电场?为什么? 二极管是不是有反向有两个击穿?当电压高于某个值则是齐纳击穿,如果再大就是雪崩击穿 是不是每个PN结都会产生这种击穿?前提是电压我们逐步提升,会产生这两种击穿不? 匀强电场产生的原因匀强电场中每点离场源距离不同为什么场强还能处处相等?