作业帮稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/15 03:07:47
稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩
稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电
稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩击穿时相反呢?
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稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩
齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结中,当PN结的掺杂浓度很高时,阻挡层很薄,载流子在阻挡层内与中性原子相碰撞的机会极小,因而不容易发生碰撞电离.但是,在这种阻挡层内,只要加上不大的反向电压,就能建立很强的电场,足以把阻挡层内的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来,产生自由电子—空穴对.这个过程称为场致激发.随着温度的升高,被束缚在共价键上的价电子具有较高的能量状态,因而,在电场作用下,比较容易挣脱共价键的束缚,产生自由电子—空穴对,形成场致激发.所以齐纳击穿电压随温度升高而降低,具有负的温度系数.
雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中.这种结的阻挡层很宽,随着反向电压的增大,阻挡层内部的电场增强,通过阻挡层的载流子在电场作用下的漂移速度加快,动能增大.当反向电压大到一定数值时,载流子获得的动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对.这过过程称为碰撞电离.新产生的自由电子—空穴对,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对.如此连锁反应,象雪崩一样,所以称为雪崩击穿.随着温度的升高,晶格的热振动加剧,致使载流子运动的平均自由路程缩短.因此,在与原子碰撞前由外加电场加速获得的能量减小,发生碰撞电离的可能性也相应减小.在这种情况下,只有提高反向电压,进一步增强电场,才能发生雪崩击穿.因此雪崩击穿电压随温度升高而提高,具有正的温度系数.
（引自《电子线路》第二版,谢嘉奎主编,高等学校教材）