半导体存储器有几类,分别有什么特点?

半导体存储器有几类,分别有什么特点?
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发表于：2008年10月10日 0时54分1秒来源：权限: 公开阅读(3)评论(2) 举报本文链接：http://user.qzone.qq.com/85146877/blog/1223571241
存储器类别
1.SSRAM 是synchronous static random access memory 的缩写,即同步静态随机存取存储器.
同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写.
对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动.地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关.这一点与异步SRAM不同,异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制.
（SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器）2.SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据.不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积.
3. SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写.
SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是：第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM.
第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟.
4. 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB.闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种,EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快.由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等.另一方面,闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM.
5. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片. EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程.一般用在即插即用.
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM）,其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）.不像EPROM芯片,EEPROM不需从计算机中取出即可修改.在一个EEPROM中,当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的,EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数.EEPROM的一种特殊形式是闪存,其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程.DRAM断电后存在其中的数据会丢失,而EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失. 另外,EEPROM可以清除存储数据和再编程.
一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中,用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面.
EPROM（Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端.EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器.EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V,随不同的芯片型号而定）.EPROM的型号是以27开头的,如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片.EPROM芯片在写入资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损.

1.与此对应的随机访问存储器（Random Access Memory,RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM,DDR SDRAM,DDR2 SDRAM ,RDRAM,Direct RDRAM）,断电之后信息就丢失了.其中,DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成）,DDR SDRAM（有一个晶体管组成）,DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据,使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ,和采用RSL技术的RDRAM,Direct RDRAM）,
2.NVRAM可以随机访问.因此有些解释中,说Flash是属于NVRAM,是不准确的.因为从严格意义上来说,Flash分有两种：nand flash和nor flash.其中的nor属于是可以随机访问的,而nand flash不是真正的随机访问,属于顺序访问（serial access）.
而目前常见的NVRAM,有两种：
1.带有备用电源的SRAM
2.借助NVM（比如E2PROM）存储SRAM的信息并恢复来实现非易失性.
对于我们身边处处可见的U盘,数码相机、可拍照手机、PDA、以及其中的存储卡,如CF、SD等等,内部多数是采用的Nand Flash.
而Nor Flash 对用于嵌入式中少量系统等信息的存储.