双极型晶体管BJT,Vbe(on)=0.6V,是什么意思?那个be是下标
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/09/02 18:15:28
双极型晶体管BJT,Vbe(on)=0.6V,是什么意思?那个be是下标
双极型晶体管BJT,Vbe(on)=0.6V,是什么意思?那个be是下标
双极型晶体管BJT,Vbe(on)=0.6V,是什么意思?那个be是下标
B代表三极管基极,E代表发射极
VBE代表基极和发射极之间的电压降,
on代表三极管导通的意思
Vbe(on)=0.6V的具体意思就是说三极管导通的时候,其基极-发射极电压为0.6V
双极型晶体管BJT,Vbe(on)=0.6V,是什么意思?那个be是下标
为什么硅BJT三极管Vbe=0.7而Vbc不是呢,它也是个PN结啊
为什么硅BJT三极管Vbe=0.7而Vbc不是呢,它也是个PN结啊
电路如下图所示,晶体管的=60,晶体管的VBE可忽略不计.
如下图所示的晶体管中,设β=100,VBE=0.7V,求 Vo与 VCE.初学者,还望各位不吝赐教.
BJT的Vbe和Ib有什么关系?也就是Vbe是怎么变化的,在三种状态下(饱和,放大,截止),我看书上说ib随着vbe的增大而增大,不太明白,这样偏置电路不是有问题了么?另外,vbe在什么情况下可以设定它为
BJT什么时候用作数字器件什么时候用作模拟器件BJT工作在放大或饱和截止的外部条件是什么?是Vbe,Vce的电压决定,还是Rb,Rc的电流决定?
已知 VBE(on)= 0.7 V ,VCE(sat) = 0.3 V , = 30 ,试判断三极管工作状态,并计算 VCEQ.
晶体管中Vbe起到的作用?Vbe与集电极电流Ic有什么关系?是不是Vbe减小,Ic也会减小?为什么?谢谢!请问是否Vbe的大小决定了Ib的大小,进而决定Ic的大小?Ib的大小不是由偏置电压Vb决定的吗?
MOS管道通电压我这里有个电路,里面用到一款MOS管,当我端加电压加到24V的时候,Vgs竟然到了7V.这款MOS管规格里定义的最大Vgs=16V.正常情况下的Vgs=2.8V.我不明白Vgs不就相当于晶体管的Vbe吗,只要达
晶体管放大电路的图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻(射极偏置)后,
晶体管放大电路图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻(射极偏置)后,在
bjt是什么?
为啥FET工作在饱和区,BJT工作在放大区?感觉FET饱和区=BJT放大区
测量某硅BJT各电极对地的电压值,判断管子在什么工作区域:1 VC=6V VB=0.7V VE=0V2 VC=6V VB=2V VE=1.3V3 VC=6V VB=6V VE=5.4V4 VC=6V VB=4V VE=3.6V5 VC=3.6V VB=4V VE=3.4V具体的判断方法是什么,书上说:当VBE>0,Vbc
对于三极管而言,为什么临界饱和状态下Vce=1V,我知道Vcb=0.c,b等电势,而Vbe=0.7V,按照这样说的话,Vce=0.课本没有说明白,对于截止状态Vbe=0.7V这个我明白,我刚开始学模电,感觉有好多东西都是莫名其
BJT放大电路中的BJT是什么
求教关于RC振荡器和LC振荡器的区别请问:RC振荡器中的运放工作在线性区,而LC振荡器中的晶体管则工作在非线性区.这句话是正确还是错误啊.如果把RC振荡器的Opamp 换成两个stage的BJT,是不是BJT