集成块的命名法是什么?现在的集成块多式多样.让我分都分不清.命名法是什么.

集成块的命名法是什么?现在的集成块多式多样.让我分都分不清.命名法是什么.
集成块的命名法是什么?
现在的集成块多式多样.让我分都分不清.命名法是什么.

集成块的命名法是什么?现在的集成块多式多样.让我分都分不清.命名法是什么.
集成电路的命名 目前,集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准,各制造公司都有自己的一套命名方法,给我们识别集成电路带来很大的 困难,但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律.下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考. （只写了前缀〕 1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司〕 AD：A/D技术'>转换器； DA：D/A转换器； CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应； LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕； LP：线性低功耗电路. 2.RCA Corp. (美国无线电公司) CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路； CDM；CMOS大规模电路. 3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC：密封集成电路； MMS：存储器电路； MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路. 4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产品. A：组合元件； B：双极型数字电路； C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路. 例：uPC、uPA等. 5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路； LC：CMOS电路； STK：厚膜电路. 6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路； TD：双极型数字电路； TM：MOS电路. 7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA：模拟电路； HD：数字电路； HM：RAM电路； HN：ROM电路； 8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路； HB、HC：CMOS电路. 例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号. 部分集成电路制造公司名称及型号前缀 先进微器件公司 〔美国〕 AM 模拟器件公司 〔美国〕 AD 仙童半导体公司 〔美国〕 F、uA 富士通公司 〔日本〕 MB、MBM 日立公司 〔日本〕 HA、HD、HM、HN 英特尔公司 〔美国〕 I 英特西尔公司 〔美国? ICL、ICM、IM 松下电子公司 〔日本? AN 史普拉格电气公司 〔美国〕 ULN、UCN、TDA 三菱电气公司 〔日本〕 M 摩托罗拉半导体公司 〔美国? MC、MLM、MMS 国家半导体公司 〔美国〕 LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司 〔日本〕 uPA、uPB、uPC 新日本无线电有限公司 〔日本〕 NJM 冲电气工业公司 〔日本〕 MSM 飞利浦元件公司 〔荷兰〕 HEF、TBA、TDA 三星半导体公司 〔韩国〕 KA、KM、KS 山肯电气有限公司 〔日本〕 STR 三洋电气有限公司 〔日本〕 LA、LB、LC、STK SGS电子元件公司 〔意大利〕 TDA、H、HB、HC 夏普电子公司 〔日本〕 LH、LR、IX 西门子公司 〔德国〕 SO、TBA、TDA 西格乃铁克斯公司 〔美国〕 NE、SE、ULN 索尼公司 〔日本〕 BX、CX 东芝公司 〔日本〕 TA、TC、TD、TM 2 一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料. 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件. 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法 二、日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推. 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志.S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件. 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型.A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管技术'>晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅. 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号.两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品. 第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志.A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品. 美国半导体分立器件型号命名方法 三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱.美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型.JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品. 第二部分：用数字表示pn结数目.1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件. 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志.N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记. 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号.多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号. 第五部分：用字母表示器件分档.A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别.如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档. 四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法.这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料.A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征.A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管. 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号.三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号. 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档.A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志. 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类.常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀.其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值. 2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特. 3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值. 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管. 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法. 第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件. 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号. 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品.
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