n沟道结型场效应管 有哪些要求:需要一个2N3823结型N沟道场效应管来制作电子作品,其中“2N3823”可用任何其他型号的同类小功率场效应管代替,如3DJ6、3DJ7.问题:我想了解一下,除了“3DJ6、3DJ

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/06 03:40:19

n沟道结型场效应管 有哪些要求:需要一个2N3823结型N沟道场效应管来制作电子作品,其中“2N3823”可用任何其他型号的同类小功率场效应管代替,如3DJ6、3DJ7.问题:我想了解一下,除了“3DJ6、3DJ
n沟道结型场效应管 有哪些
要求:
需要一个2N3823结型N沟道场效应管来制作电子作品,其中“2N3823”可用任何其他型号的同类小功率场效应管代替,如3DJ6、3DJ7.
问题:
我想了解一下,除了“3DJ6、3DJ7”这两个型号的场效应管外,都还有哪些型号可代替?急~
先谢过大家了!

n沟道结型场效应管 有哪些要求:需要一个2N3823结型N沟道场效应管来制作电子作品,其中“2N3823”可用任何其他型号的同类小功率场效应管代替,如3DJ6、3DJ7.问题:我想了解一下,除了“3DJ6、3DJ
场效应晶体管可分为结场效应管和MOS场效应管,而结场效应管分结型、绝缘栅型两大类.结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名.按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.你说的两个管子3DJ6、3DJ7都是3DJ系列的如果要代换用3DJ系列的应该没问题,如3DJ1、2、3、、4、5.
给个3DJ3的参数你:
3 D J 3
产品特点:N沟道结型场效应管,双向开关传输(低电平) 导通电阻:≈ 30 左右
产品应用:多路电平传输 开关信号放大 调制电路
1.极限参数
数 值 参数名称 符号
最小值 最大值
单位
最低和最高工作环境温度 Tstg -55 +125 ℃
最低及最高储存温度 Tamb -55 +175 ℃
最大耗散功率 Ptot 100 mW
最高有限温度 T( vj ) +175 ℃
2.电参数 (TA=25 ℃ )
测试参数和条件 参数
名称
MIN NOM MAX 单

栅源击穿电压 VDS =0V,IGS ≤ 1 μ A V(BR)
GSS
|20| V
栅极截止电流 VDS =0V,VGS =10V IGSS 100 nA
栅源截止电压 VDS =10V,ID =10 μ A VGS(O
FF)
|-9| V
A 30
B 50
零栅压时的漏及电流 (饱和电流) VDS
=10V,VGS =0V
C
IDSS
80
mA
A 12000
B 12000
小信号短路正向跨导VDS =10V,ID
=10mA,f =1KHz
C
gfs
12000
μ
S
漏源关态电阻VDS =10V ,VGS =-9V rds(o
ff)
10 8 Ω
100
50
漏源通态电阻 VGS =0V ,I D =1 mA rds(o
n)
30
Ω
A 50
B 30
开启时间VDS =10V ,RL =1K Ω,CL
=10PF
C
ton
20
ns
A 12.5
B 7.5
关断时间
C
toff
5
ns
其他的请到这网上看参数
顺便私人赠送个常用的3DJ型N沟道结型场效应管为例解释其测试方法:
3DJ型结型场效应管可看作一只NPN型的晶体三极管,栅极G对应基极b,漏极D对应集电极c,源极S对应发射极e.所以只要像测量晶体三极管那样测PN结的正、反向电阻既可.把万用表拨在R*100挡用黑表笔接场效应管其中一个电极,红表笔分别接另外两极,当出现两次低电阻时,黑表笔接的就是场效应管的栅极.红表笔接的就是漏极或源极.对结型场效应管而言,漏极和源极可以互换.对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地).
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n沟道结型场效应管 有哪些要求:需要一个2N3823结型N沟道场效应管来制作电子作品,其中“2N3823”可用任何其他型号的同类小功率场效应管代替,如3DJ6、3DJ7.问题:我想了解一下,除了“3DJ6、3DJ 如何判断场效应管是N型沟道还是P型沟道呀? n沟道mos管有哪些 功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别? 请大神指教关于场效应管的问题.电路如上图: 2N3819 为结型N沟道,书本上说,当开关打向 A 时,场效应管导通,当开关打向 B 时,场效应管不通. 但结型N沟道场效应管在 G 极不加电压时,D ,S本 场效应管分为N沟道和P沟道,它的导通条件分别是什么? 场效应管中N沟道和P沟道是怎么区分的? N型场效应管和场效应管有什么区别 N型场效应管和MOS管有什么区别 模拟电路中复合管的构成问题为什么下图的这两个N沟道的结型场效应管不能构成复合管 导通电阻尽量小的P沟道场效应管有哪些?最好是44毫欧以内的! 简单电路问题,求解.一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs ------书上说的. 对于上面这句话,有两个疑 关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变? 场效应管好坏测试判断方法结型场效应管N沟道,栅极跟漏极,栅极跟源极之间都是PN结.不是应该给G-D ,G-S.正向的偏置电压就能导通吗?这样的话.电阻也是比较小的啊.为什么结型场效应管的好坏 绝缘栅型场效应管的问题为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连是否可以?为什么?请详细解答把栅极和衬底直接 场效应管中N沟道和P沟道的工作原理哪种场效应管是高电平导通,哪种是低电平导通. mos场效应管和结型场效应管有什么区别 N沟道结型场效应管的导通条件是什么?它的截止条件又是是什么?栅极电压能否大于源极电压?希望能用自己的话简单总结一下,有些回答看的不是很懂! 结型场效应管 符号上 剪头方向什么意思RT N沟道得剪头冲里 但是N沟道 栅级是P型半导体啊 反向偏执电压也和箭头方向反着 栅级又没有电流 这剪头到底啥意思啊 顺便也问一下三极管