急问氮化铝的制备、性质及用途氮化铝的制备、性质及用途,越详细越好.不要直接从网上搜点东西就贴在这里，网上的我自己也会搜，也不必在这里问了。

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急问氮化铝的制备、性质及用途
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中文名称:氮化铝
拼音:danhualv
英文名称：alumin(i)um nitride
分子式:AlN
分子量:40.99
密度:3.235g/cm3
说明:AlN属类金刚石氮化物,最高可稳定到2200℃.室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢.导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料.抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料.氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望.砷化镓表面的氮化铝涂层,能保护它在退火时免受离子的注入.氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂.室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成,产物为白色到灰蓝色粉末.或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成,产物为灰白色粉末.或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成.
1.氮化铝粉末纯度高,粒径小,活性大,是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料.
2.氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料.
工艺路线：氮化铝粉末采用碳热还原氮化法；高导热氮化铝陶瓷基片采用氛常压烧结法.

AlN属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中...

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AlN属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。
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氮化铝
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氮化铝
中文名称:氮化铝
拼音:danhualv
英文名称：alumin(i)um nitride
分子式:AlN
分子量:40.99
密度:3.235g/cm3
说明:AlN属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。
http://baike.baidu.com/view/412178.htm
氮化铝的特性
因其符合：(1)低原子量；(2)原子间键结强；(3)结晶结构简单；(4)晶格振荡谐和性高等四项通则，为少数具有高热传导率的非金属固体，氮化铝单晶的理论热传导率可达320W/m‧K。氮化铝的硬度亦高，其破坏强度达5000kg/cm2，维氏硬度约为1200kg/cm2。另外氮化铝具有直接能带，其能带宽(Energy Band Gap)为6.2eV故高纯度氮化铝晶是无色而透光的(室温之吸收波长为2000Å)，但在氮化铝中如存有氧或金属不纯物则会失去其透光性，其物理及化学特性如表1。
http://www.tsictec.com.tw/taiyen/tsicA1N/%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8B%81%E7%9A%84%E7%89%B9%E6%80%A7.htm

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陶瓷啊

收录氮化铝相关专利文献
氮化铝专利技术集
1、采用碳氮共渗处理氧化铝连续制备氮化铝的方法
2、从熔体中生长氮化铝大直径单晶
3、氮化铝、碳化硅及氮化铝 碳化硅合金块状单晶的制备方法
4、氮化铝单晶薄膜及其制备方法
5、氮化铝粉体的反应合成方法
6、氮化铝和氧化铝或氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法
7、氮化铝晶须的制备方法

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1、采用碳氮共渗处理氧化铝连续制备氮化铝的方法
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8、氮化铝块状单晶的制造方法
9、氮化铝烧结坯、金属化基片、加热器、夹具以及制造氮化铝烧结坯的方法
10、氮化铝烧结体及其制备方法
11、氮化铝烧结体及其制造方法
12、氮化铝纤维的合成方法
13、氮化铝一维纳米结构阵列及其制备方法
14、氮化铝与铜的高温钎焊方法
15、低含量氮化铝陶瓷粉末制备方法
16、放电等离子烧结法制备氮化铝透明陶瓷
17、高热导氮化铝陶瓷的制备方法
18、高热导率氮化铝陶瓷
19、高热导率氮化铝陶瓷的制造方法
20、含碳的氮化铝烧结体，用于半导体制造或检测设备的基材
21、含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造或检测设备的陶瓷基材
22、含氧氮化铝的耐火材料,滑动水口耐火材料及连续铸钢水口
23、经氧化铝碳氮化连续制氮化铝的方法
24、具有氮化铝涂层的碳纤维及其制备方法
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31、氮化铝的室温热导率
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34、氮化铝粉末的研究
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39、氮化铝高温下的挥发及其晶须生长
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52、氮化铝颗粒表面镀铜及其增强铜基复合材料
53、氮化铝孔状材料的溶液法合成及其光致发光
54、氮化铝纳米粉末的氧化特性研究
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56、氮化铝陶瓷
57、氮化铝陶瓷表面化学镀铜
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59、氮化铝陶瓷材料
60、氮化铝陶瓷材料的开发和应用
61、氮化铝陶瓷材料的烧结机理
62、氮化铝陶瓷材料制备工艺与应用
63、氮化铝陶瓷的热导率研究进展
64、氮化铝陶瓷的微波烧结研究
65、氮化铝陶瓷的研究与应用
66、氮化铝陶瓷的研制及应用
67、氮化铝陶瓷的制备及其在复合材料中的应用研究
68、氮化铝陶瓷的制造与应用
69、氮化铝陶瓷低温热导率的实验研究
70、氮化铝陶瓷低温烧结过程中的液相迁移与表层晶粒生长
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73、氮化铝陶瓷基板的开发研究
74、氮化铝陶瓷基片的传热机理研究
75、氮化铝陶瓷基片热导率的分析英文
76、氮化铝陶瓷基片热导率的理论分析
77、氮化铝陶瓷及其用途
78、氮化铝陶瓷研究和发展
79、氮化铝陶瓷与铜界面热阻回归分析仿真模型
80、氮化铝陶瓷直接覆铜技术
81、氮化铝为军用短波发光二极管打基础
82、氮化铝压电薄膜的晶面择优取向
83、氮化铝与无氧铜低温界面热阻的实验研究
84、氮化铝在1600℃的低温烧成技术
85、等离子法制备氮化铝粉末原料的研究
86、等离子体法制备超细粉体氮化铝的研究
87、低温共烧氮化铝复合材料基板的银金属化研究
88、低温碳热还原法合成氮化铝陶瓷超细粉末
89、多弧镀氮化铝钛薄膜的铝靶稳弧
90、反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究
91、放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷
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93、复合助剂对氮化铝陶瓷低温烧结的影响
94、钢中氮化铝的测定
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96、钢中硫化锰和氮化铝析出相标准样品的研制
97、高导热性能的氮化铝陶瓷的研究
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100、高热导率氮化铝陶瓷的制备和研究
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102、高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝
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123、铝-氮化铝结合刚玉质滑板的抗氧化性能
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125、铝合金直接氨化生长氮化铝反应机制研究
126、铝中注N～＋后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究
127、纳米氮化铝常压溶剂热合成及其光致发光
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132、尿素对以硝酸铝和葡萄糖为原料合成氮化铝粉末反应过程中相变及反应速率的影响
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134、气体压力对铝基体上氮化铝薄膜残余应力的影响
135、球磨促进碳热还原反应合成氮化铝研究
136、球磨对碳热还原氮化法制备氮化铝粉末的作用
137、热处理对氮化铝粉末抗水性的影响
138、热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响
139、溶胶_凝胶工艺制备氮化铝陶瓷超细粉末
140、射频溅射薄膜改善氮化铝陶瓷与金属连接性研究
141、世界首款纳米级氮化铝粉体产品在皖问世
142、碳化硅晶须增强氮化铝复合材料的机械性能和界面研究
143、碳热还原法合成氮化铝的机理与热力学条件
144、碳热还原法制备氮化铝反应机制的研究进展
145、碳热还原法制备氮化铝粉末
146、碳热还原反应法合成氮化铝的研究
147、碳热还原反应制备氮化铝粉末工艺研究
148、铜_氮化铝陶瓷键合机理的探讨
149、铜-氮化铝陶瓷键合机理的探讨
150、透明氮化铝陶瓷的制备
151、透明氮化铝陶瓷研究的新进展
152、涂覆草酸钇薄膜改善氮化铝粉耐水性及其机理
153、微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜
154、稳健估计用于氮化铝金属化工艺的研究
155、钨_氮化铝太阳能选择性吸收表面的研制
156、钨-氮化铝太阳能选择性吸收表面的研制
157、新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性
158、新型电子陶瓷材料氮化铝工艺进展与应用前景
159、新型功率混合集成电路材料——氮化铝AlN
160、氧氮化铝陶瓷的合成与应用
161、液晶聚酯与氮化铝复合基板材料的研究
162、以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究
163、以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究
164、银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究
165、影响氮化铝陶瓷热导率的因素及改善途径
166、用电子束和俄歇微区分析技术检测镀铝钢板中氮化铝保护层
167、用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜
168、用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料
169、用作基片材料的氮化铝陶瓷的现状与展望
170、原料对碳热还原法合成氮化铝粉末的影响
171、原位反应自生成氮化铝的研究
172、支持向量机算法在氮化铝薄膜生长过程控制中的应用
173、直流电弧热等离子体法制备超细粉体氮化铝的研究
174、制备氮化铝粉的新方法
175、中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜
176、自蔓延高温合成SHS氮化铝反应机制的研究
177、自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究1
178、自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究2
179、自蔓延燃烧合成氮化铝的产物特征及表面处理
请参考.

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