cmos与非门电路分析cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/16 17:45:13

cmos与非门电路分析cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态
cmos与非门电路分析



cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态而改变（起码不是常数0）,那教科书上是如何一眼就确定T2状态的呢（其判断方法貌似和T1的判断方法通用）?

cmos与非门电路分析cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态
其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态.
A\B=0\0时,T3\T4（都是PMOS）都导通,所以F就是VDD,也就是高电平.
其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD.
A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说.
而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V.
把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表.
PS：数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.

对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方? 用CMOS与非门实现“判断输入者与受血者的血型符合规定的电路 你知道有什么电路能够代替CMOS四二输入与非门CO36吗?现在急用 用CMOS设计与非门和或非门 cmos与非门输出能并联吗 cmos与非门电路分析cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态.但其余串联的nmos管（如图中T2）的源极电压随T1的状态 逻辑电路,CMOS电路. 帮忙用真值表法分析一下CMOS与非门、或非门、异或门电路, CMO与TTL与非门电路多余输入端的处理方法,各种输入方法之间有什么特点上面是CMOS与TTL 不好意思 哪位高人给指点一下怎样设计一个电路用来直接测量CMOS与非门的高（低）电平噪声容限电压... TTL与CMOS电路的区别?由TTL和CMOS个组成的相似门电路,（如与非门,输入端皆由一条高电平和一条51欧电阻接地,输出结果有何不同?为什么?） TTL与CMOS电路的区别是什么?由TTL和CMOS个组成的相似门电路,（如与非门,输入端皆由一条高电平和一条51欧电阻接地,输出结果有何不同?为什么?） 对于给定的硅面积,CMOS与非门和CMOS或非门哪个更快? 如何区分TTL电路和CMOS电路? 对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是（ ）.A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（ 怎样用与非门电路构成自锁电路 CMOS门电路与TTL电路的区别 怎样用CMOS电路实现四选一多路选择器