扩散运动中空穴是不是真的从P区移到N区了?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/18 05:31:11

扩散运动中空穴是不是真的从P区移到N区了?
扩散运动中空穴是不是真的从P区移到N区了?

扩散运动中空穴是不是真的从P区移到N区了?
不是的.只有电子的流动与转移.
p型半导体是“缺”电子的半导体,载流子为“空穴”.N型半导体是“富”电子的半导体.电子为载流子.
上面说的“缺”电子或者“富”电子,是相对于硅(或者锗)元素来说的.硅(锗)元素原子最外层有4个价电子.需要与其他原子的4个价电子形成共价键,达到8个价电子的稳定结构.如果,往硅中掺入少量磷,磷有5个价电子,用4个价电子与硅形成共价键,还“富余”一个电子,这一个电子,不参与形成共价键,可以自由“流动”,这种掺杂的硅(或者锗)就是N型半导体,整体上,N型半导体是呈现电中性的.
而如果往硅(或者锗)中掺入只有3个价电子的元素,比如硼或者镓,他们只有3个最外层电子,全部与硅形成共价键,还缺一个电子.在缺电子的那个共价键位置上就好像有一个“空穴”,这种硅(或者锗)就称为空穴型半导体,整体上,P型半导体也是呈现电中性的.
如果把P、N两种半导体结合到一起,由于一个“富”电子,一个“缺”电子,那么电子就由N型半导体流向P型半导体,这个过程中,由于电子的流入补充了“空穴”,P型半导体中的空穴就好像流到了N型半导体中.这样,N型半导体就呈现正电,P型半导体呈现负电,那么在P、N半导体中间就形成了一个电场:N型那边电势高,P型那边电势低,电场强度达到一定数值,将阻止电子继续向P型那边流动,达到了静电平衡.这种半导体结构就是PN结,PN结具有单向导电性.是半导体的基础.

怎么会呢,只是P区的部分空穴扩散到N区,N区的电子扩散到P区,形成内电场后又有偏移

hopestar6688说的对的

扩散运动中空穴是不是真的从P区移到N区了? 关于pn结中的光生伏特效应的光生载流子的运动的问题pn结的光生载流子为什么由于内建电场的作用电子向N区运动空穴向P区运动,它怎么不是由于扩散运动电子向P区扩散,空穴想N区扩散呢?或 半导体中空穴真的可以通过扩散作用运动吗 在pn结中 电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? PN结中P型区,只是少了空穴而已.怎么会有负离子存在呢P型区中刚开始是空穴多,但是空穴只是电子的移动形成的,当空穴与N型区中的电子复合后,N型区少了电子,自然会有带正电的离子存在,而P 关于PN结形成,当自动扩散形成后,P区的空穴 进入N 区 和N 区的电结 合 ,之后为什么带正电 PN结正向偏置处于导通状态下载流子扩散的疑惑根据《模拟电子技术基础(第四版》,PN结不接外电压时,P区的空穴向N区扩散,与自由电子复合;同理N区的自由电子向P区扩散,与空穴复合,形成空 二极管中电流方向二极管正向偏置的时候,外电场削弱内电场,扩散运动加强 ,自由电子从n区向p区扩散 ,那么二极管中电流的方向就应该是从n到p,但是电源的电流方向却是从p到n的. PN结的内电场方向是啥P,N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区, 关于PN结中的电子和空穴电子和空穴在PN结交界处会复合,其实质就是扩散运动.如果再外加一个正向偏置电压,就相当于减小了PN结处空间电荷区的场强,使得扩散运动加剧,但依旧会复合.那一个 二极管空间电荷区问题二极管加正向电压时.为什么空间电荷区会变窄.我认为的是:正向电压时,有利于扩散运动,那P端的多子就是空穴,而N端的多子是电子,两端都同时往中间移动,在中间区域 三极管扩散到基极的电子怎么不直接从基极流出NPN三极管,书上说发射区的电子越过发射结到达基区,在扩散的过程中有部分电子与基区中的空穴复合而消失,由于基区很薄且空穴的浓度很低,所 在半导体中,热平衡时,扩散电流等于漂移电流;有光照时,为什么p-n结中产生的空穴电子对还可以移动呢?既然在平衡时已经扩散电流等于漂移电流,那么说明两个相反方向的电场相等了,那么光 怎样理解二极管的扩散电容,当正偏时,其两端的电压是正是负?当二极管正偏时,会产生扩散电容效应,但是这个电容是在P区积累电子,而在N区积累空穴,这样的话,这个扩散电容两端的电压不应该 外电路如何产生空穴PN结处因为多数载流子耗尽及内建电场的方向问题,只有少子的漂移运动,而耗尽区无法提供载流子.但是想象如下的情况:PN结加正向偏置电压,扩散运动加强,N区的电子扩散 晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接 为什么PN结加正向电压N区电子向左边扩散P区空穴向右扩散资讯搜索:请问一下如果PN结加正向电压根据物理学基石同性相斥异性相吸 P型半导体中空穴是怎么扩散的?我的意思是N型半导体的自由电子因为没有共价键的舒服所以能因浓度差在PN结中,但P型半导体中空穴一直被共价键束缚在受主离子旁,受主离子也不能移动,它怎