mosfet中当栅极电压超过门限电压时D,S是短路的么?当栅极电压超过门限电压时,源极和漏极已经处于导通状态,那么Uds是从何而来的呢?我自己用irf3205做的实验,超过门限的时候万用表测出来D,S短
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/08 03:36:19
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mosfet中当栅极电压超过门限电压时D,S是短路的么?
当栅极电压超过门限电压时,源极和漏极已经处于导通状态,那么Uds是从何而来的呢?我自己用irf3205做的实验,超过门限的时候万用表测出来D,S短路.还有Id又是如何情况,
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当栅极电压超过门限电压时,源极和漏极完全导通,其导通电阻只有几十毫欧,几乎相当于短路,这样使得MOS管可以作为电子开关使用,几乎没有导通压降,Uds实测值通常为mv级,Id电流处于最大状态,主要取决于负载等效电阻大小.
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栅极的电压大于源极电压时,则源极电压与漏极电压相同,及三极管导通.如果这样的话,当在二进制电路中,若栅极电压和源极电压都是高电压,因为栅极电压和源极电压都是1啊?
栅极的电压大于源极电压时,则源极电压与漏极电压相同,及三极管导通.如果这样的话,当在二进制电路中,若栅极电压和源极电压都是高电压,因为栅极电压和源极电压都是1啊?
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