为什么晶体管的受控电流Ic与发射结电压Ub'e成线性关系RT.书上说是根据半导体物理的分析,谁能帮我分析分析.

为什么晶体管的受控电流Ic与发射结电压Ub'e成线性关系RT.书上说是根据半导体物理的分析,谁能帮我分析分析. 关于晶体管中的电流关系晶体管中的电流为什么：Ie的电流与Ic的电流有关系?如图 温度升高为什么晶体管的电流放大倍数增大?β=IC/IB,当温度升高,UBE不变时,IB增大,而放大状态的IC具有正向受控性,即IC的大小与UBE有关,那么,IC不变,IB增大,β不应该减小吗?为什么温度升高电流放 某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过为什么?求详解 谢谢! 晶体管为什么饱和?书上说发射结与集电结同时正偏,随着基极电流的增加,集电极电流不再增加,即为饱和,为什么基极电压大于集电极电压就饱和,电压与饱和电流到底有什么具体联系?是因为负 晶体管中Vbe起到的作用?Vbe与集电极电流Ic有什么关系?是不是Vbe减小,Ic也会减小?为什么?谢谢!请问是否Vbe的大小决定了Ib的大小,进而决定Ic的大小?Ib的大小不是由偏置电压Vb决定的吗? 在一个有受控电流源电路中求电流的问题为什么 I = 0,5U1 + 0.5U 我想的是 I=0,5U1+U/2 .这是等效受控电压源，为什么对应上图受控电流源的电流方向，U1方向是 左+右- 这个受控源是受控电压还是电流源 他与并联的电阻什么关系 如何求受控源的电流 铃木雅臣《晶体管电路设计》上册48页,晶体管的集_发射级之间的饱和电压Vce为什么电源电压要提高Vce?Ie怎么就要选比最大输出电流2.5mA还大的10mA. 当温度不变时,晶体管集电极电流Ic怎么变化,发射结压降呢? 左边第一个电路图,条件就这一个,求受控电流源的电压u和u发出的功率. 温度升高为什么会导致晶体管基集与发射集电压减小 正常工作的晶体管,流过发射结,集电结的电流主要是什么电流 三极管的输出特性曲线中Uce从零开始变大时Ic也从零开始变大,为什么不是从负的开始变大呢?有人说:在集电结,发射结同时加正向电压,就能达到令晶体管工作在饱和区.请问是不是真的?那么,电 为什么工作在放大区的晶体管当基极电流不变时增大Uce但Ic不变 与受控电压源串联的电阻,其电流相等吗 求问场效应管的放大原理晶体管的放大原理我是这样理解的,b极的电流变化,使到b极与e极间pn结的电压变化.这个电压的变化使到e极发射载流子的数量按b极电流的变化,根据放大系数来变化,但 含有受控源的电路分析.如图,图中是含有流控电流源的电路,题目是求u0和流经受控源的电流.含有受控源的电路分析.如图,图中是含有流控电流源的电路,题目是求u0和流经受控源的电流.设电压u