作业帮以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/09 03:17:04
以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
由题知,k,b异号
设y=kx+b交CB于D,交OA于F,则当y=4时,kx+b=4,可得x=(4-b)/k,所以D的坐标为（(4-b)/k,4）,亦可得E（-b/k,0),则CD=(4-b)/k,OE=-b/k,所以四边形CDEO的面积为
（（(4-b)/k+（-b/k））*4）/2,又四边形OCBA的面积为（4+6）*4/2=20,四边形CDEO的面积为四边形OCBA的面积的一半,所以四边形CDEO的面积为10,即：
（（(4-b)/k+（-b/k））*4）/2=10,
得b=(4-5k)/2,所以要看k的取值范围,若k的取值范围仅为不等于0的任意实数,则b的取值范围就为满足b=(4-5k)/2的一切实数
换句话说,就是若k不等于0,则b不等于2
以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
试画出N沟道、P沟道增强型和耗尽型MOSFET的代表符号
N沟道MOSFET带负载时电压不正常.负载为线圈,栅极输入为20Hz20V的方波,输出只有20V.
n沟耗尽型mosfet工作原理
画出相应的电路图
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻
求各推荐一款额定电流为10-20A,耐压600V的GTR ,IGBT,功率MOSFET.有型号即可
高压 大电流MOSFET型号需要一款耐压值在900V以上,电流值在10A左右的N沟道MOSFET的型号,哪位知道麻烦给说一声,谢谢了!
英文达人速进：请帮我写句以字母A,L,V,I,N为词首的句子以A,L,V,I,N这5个字母为词首 串起来的句子,
求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装
N沟道耗尽型MOSFET,ID=0,S与D之间的压降是否恒定
以V I O L I N 几个字母打头的单词组成一句话
MOSFET管的上升下降时间一般为多少?
以植物细胞为例,画出有丝分裂的示意图
N沟道MOSFET与P沟道MOSFET有什么区别
按照汉语拼音字母表顺序,先将下列字母重新排列,再写出相应的大写字母.G H I Z V U Y B A N D
编写程序,计算输入n,S=1²+2²+3²+…+n²的值,并画出相应的程序框图n为正整数没有图也行