在正方形区域abcd中存在着匀强磁场,e是bc的中点,如果在a点沿对角线方向以速度V水平射入一带正电的带电粒子,恰好从b点竖直向上射出,如果速度改为V2则带电粒子会从e点垂直于bc射出 不计带

在正方形区域abcd中存在着匀强磁场,e是bc的中点,如果在a点沿对角线方向以速度V水平射入一带正电的带电粒子,恰好从b点竖直向上射出,如果速度改为V2则带电粒子会从e点垂直于bc射出 不计带 如右图所示,有一个正方形的匀强磁场区域abcd,e是ad的中点,f是cd的中点,如果在a点沿对角线方向以速度v如图所示,有一个正方形的匀强磁场区域abcd,e是ad的中点,f是cd的中点,如果在a点沿对角线方 2009海南高考物理16题我有疑问如图,ABCD是边长为a的正方形.质量为m、电荷量为e的电子以大小为V0的初速度沿纸面垂直于BC边射入正方形区域.在正方形内适当区域中有匀强磁场.电子从BC边上的 2009 海南高考 物理16题,有更好的方法么?如图,ABCD是边长为a的正方形.质量为m、电荷量为e的电子以大小为v0的初速度沿纸面垂直于BC边射入正方形区域.在正方形内适当区域中有匀强磁场.电子从 如图,ABCD是边长为a的正方形.质量为m、电荷量为e的电子以大小为v0的初速度沿纸面垂直于BC边射入正方形区域.在正方形内适当区域中有匀强磁场.电子从BC边上的任意点入射,都只能从A点射出磁 如图所示,边长为L的正方形区域abcd内存在着匀强磁场.质量为m,电荷量为q的带电粒以初速度v0从a点进入电场，恰好从c点离开磁场，离开时速度为v，不计重力，求电场强度的大小。 一个有理想边界的匀强磁场区域,用力将一个放在匀强磁场中的正方形线圈abcd从磁场中匀速拉出,下列叙述正确的是( ) A、拉出线圈的速度越大,拉力做功越大 B、线圈的边长越大,拉力做功越多 边长为L的正方形导线框ABCD垂直磁场放置,并恰好有一半处于磁场中,E、F为AB、CD两边上的中点,且E、F恰好在磁场的边界处,导线框每边电阻均为r.已知磁场正以△B/△t=k（k为一常数）均匀变化, 如右图所示,有一个正方形的匀强磁场区域abcd,e是ad的中点,f是cd的中点,如果在a点沿对角线方向以速度v射入一带负电的带电粒子,恰好从e点射出,则（）A．如果粒子的速度增大为原来的二倍,将 如右图所示,有一个正方形的匀强磁场区域abcd,e是ad的中点,f是cd的中点,如果在a点沿对角线方向以速度v射入一带负电的带电粒子,恰好从e点射出,则（）A．如果粒子的速度增大为原来的二倍,将 如图所示,空间区域中存在着匀强磁场和匀强电场,电场强度为E,磁场方向与电场方向平行,方向相反.质量为m,电荷量-q的粒子（不计重力）,沿电场方向以初速度v0射入,下列说法正确的是：（E的 如图所示,虚线框abcd内为边长均为L的正方形匀强电场和匀强磁场区域 能从PQ边离开如图所示,虚线框abcd内为边长均为L的正形匀强电场和匀强磁场区域,电场强度的大小为E,方向向下,磁感应强度 如图所示,边长为L的正方形区域abcd内存在着匀强磁场.质量为m,电荷量为q的带电粒子从a点沿ab方向进入电场,不计重力（1）若粒子从c离开电场,求电场强度（2）若粒子离开电场是动能为Ek,求电 空间某个区域中只存在着匀强磁场和匀强电场,在这个区域内有一个带电粒子,关于电场和磁场的情况下列叙述中正确的是A．如果电场与磁场方向相同或相反,则带电粒子的动量方向一定改变B 如图所示,在边长为L的正方形ABCD 区域内存在方向垂直纸面向外的匀强磁场．一带电粒子（重力不计）以速度v 沿AB 边方向射人磁场,之后粒子恰好从CD 边的中点E 射出,则A．该粒子一定带负电B 如图,正方形ABCD的边长为4,三角形ABE是等边三角形,点E在正方形ABCD内,在对角线AC上存在一点P…… 如图,在正方形ABCD中,点E,F,G,H在正方形的四条边上,AE=BF=CG=DH,EG与FH存在特殊的位置关系或线段关系 在光滑水平面上,有一个粗细均匀的单匝正方形线圈abcd,现在外力的作用下从静止开始向右运动,穿过固定不动的有界匀强磁场区域,磁场的磁感应强度为B,磁场区域的宽度大于线圈边长.测得线