一冰壶以速度v垂直进入三个矩形区域做匀减速运动,且刚要离开第三个矩形区域时速度恰好为零,则冰壶依次进入每个矩形区域时的速度之比和穿过每个矩形区域所用的时间之比分别是 ( ) .

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/15 10:46:06

一冰壶以速度v垂直进入三个矩形区域做匀减速运动,且刚要离开第三个矩形区域时速度恰好为零,则冰壶依次进入每个矩形区域时的速度之比和穿过每个矩形区域所用的时间之比分别是 ( ) .
一冰壶以速度v垂直进入三个矩形区域做匀减速运动,且刚要离开第三个矩形区域时速度恰好为零,则冰壶依次进
入每个矩形区域时的速度之比和穿过每个矩形区域所用的时间之比分别是 ( ) .

一冰壶以速度v垂直进入三个矩形区域做匀减速运动,且刚要离开第三个矩形区域时速度恰好为零,则冰壶依次进入每个矩形区域时的速度之比和穿过每个矩形区域所用的时间之比分别是 ( ) .
设依次进入第一个、第二个、第三个矩形区域时的速度分别是V1、V2、V3
依次穿过第一个、第二个、第三个矩形区域所用时间分别是T1、T2、T3
设每个矩形区域的长度是L,加速度大小是a .
用逆过程分析较方便.
在逆过程中,通过开始一个区域(就是实际的第三个区域)过程中,有
L=a*T3^2 / 2  --------方程1
V3=a*T3 --------方程2
通过第一个和第二个区域(就是实际的第三个、第二个区域)过程中,有
2L=a*(T3+T2)^2 / 2 --------方程3
V2=a* (T3+T2) --------方程4
通过全部三个区域过程中,有
3L=a*(T3+T2+T1)^2 / 2 --------方程5
V1=a* (T3+T2+T1) --------方程6
  由方程1 得 T3=根号(2L / a)
  由方程1和3 得 T2=[ (根号2)-1] * 根号(2L / a)
  由方程3和5并结合以上结果,得 T1=[ (根号3)-(根号2)] * 根号(2L / a)
由方程2 得 V3=根号(2aL)
由方程4 得 V2=(根号2)*根号(2aL)
由方程6 得 V1=(根号3)*根号(2aL)
可见,在顺过程中:
冰壶依次进入每个矩形区域时的速度之比是 V1:V2:V3=(根号3):(根号2):1
依次穿过每个矩形区域所用时间之比是
 T1:T2:T3=[ (根号3)-(根号2)] :[ (根号2)-1] :1

倒着来 v2^2-v1^2=2as v1=0 v2=...
v3^2-v2^2=2as v2=... v3=...
v4^2-v3^2=2as v3=... v4=...
v4:v3:v2=根号6:2:根号2
时间用s=(v1+v2)/2*t 来做

一冰壶以速度v垂直进入三个矩形区域做匀减速运动,且刚要离开第三个矩形区域时速度恰好为零,则冰壶依次进入每个矩形区域时的速度之比和穿过每个矩形区域所用的时间之比分别是 ( ) . 如图所示,在冰壶比赛中,一冰壶以速度v 垂直进入四个矩形区域沿虚线做匀减速直线运动,如图所示,在冰壶比赛中,一冰壶以速度v 垂直进入四个矩形区域沿虚线做匀减速直线运动,且刚要离开第 如图所示,在冰壶比赛中,一冰壶以速度v 垂直进入四个矩形区域沿虚线做匀减速直线运动,且刚要离开第四如图所示,在冰壶比赛中,一冰壶以速度v 垂直进入四个矩形区域沿虚线做匀减速直线运 如右图所示一冰壶以速度v垂直进入两个矩形区域做匀减速运动,且刚要离开第二个矩形区域时速度恰好为零,则冰壶依次进入每个矩形区域时的速度之比和穿过每个矩形区域所用的时间之比分 三个电子分别以V,2V,3V三个电子分别以V,2V,3V的速度与磁场方向垂直进入同一匀强磁场,它们在磁场中回旋的 有趣的物理几何题,如图所示,一电子从a点以速度v垂直进入长为d、宽为h的矩形磁场区域沿曲线ab运动,且通过b点离开磁场.已知电子的质量为m,电量为e,磁场的磁感应强度为B,不计重力,求该电子 一质子以速度V穿过互相垂直的电场和磁场区域而没有 空间有一宽为2L的匀强磁场区域,强度为B,方向垂直纸面往外,abcd是边长为L的正方形线框,总电阻为R,线框以垂直磁场边界的速度V穿过磁场区域,其中ab和cd始终和磁场界平行,求cd刚进入磁场和cd刚 如图所示,在x轴下方有若干个磁感应强度为B的条形匀强磁场,它们的宽度都是d1,相邻磁场区域的间距为d2.质量为m,带正电量为q的粒子以速度v垂直于x轴进入磁场区域(重力忽略不计).(1)若 如图所示,一电阻为R的矩形线圈abcd,边长分别为L1和L2,沿水平方向以恒定的速度v通过一匀强磁场,磁场区域的宽度为L,磁感应强度为B,方向垂直纸面向里.则如果L1>L,则线圈通过磁场区域的过程 abcd是一边长为L的匀质正方形导线框,总电阻为R,今使线框以恒定的速度V水平向右穿过垂直于直面向里德匀强磁场区域,一直磁感应强度为B,磁场宽度为3L,求线框在进入磁区、完全进入磁区和穿 一个带电离子以速度v沿直线垂直于匀强电场场强方向进入其运动轨迹如何 电子e以垂直于匀强磁场的速度v,从a点进入长为d,宽为L的磁场区域,偏转后从b点离开磁场,磁感应强度为BA电子在磁场中的运动时间为d/vB电子在磁场中的运动时间为ab/v(ab上还有一横)c洛伦兹力 一个电子质量m,电荷量e,以速度v从x轴上某点垂直于x轴进入上方匀强磁场区域.已知x轴上方磁感应强度的大小为B,且为下方匀强磁场磁感应强度B1的两倍.1)求电子运动轨迹2)电子运动一个周期 三个电子分别以V,2V,3V的速度与磁场方向垂直进入同一匀强磁场,它们产生的等效电流之比为?是1:1:主要是不明白为什么t可以看成T带到I=q/T? 三个电子分别以V,2V,3V的速度与磁场方向垂直进入同一匀强磁场,它们在磁场中回旋的频率之比是?A:1∶1∶1 B:1∶2∶3 C:1²∶2²∶3² D:1∶1/2∶1/3写下原因! 匀强电场区域和匀强磁场区域是紧邻的且宽度相等均为d,电场区域在纸平面内竖直向下,而磁场方向垂直纸面向里,一正电粒子从O点以速度V0沿垂直电场方向进入电场,从A点出电场进磁场,离开电 矩形金属框架三个竖直边ab,cd,ef的长都是L,电阻都是R,其余电阻不计,框架以速度v匀速平动地穿过磁感应强度为B的匀强磁场.设ab,cd,ef三条边先后进入磁场时ab边两端电压分别为U1,U2,U3 图 file:///