多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/10/04 15:20:21
多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
在硅晶体中,杂质一般是作为载流子的施主跟受主存在的,一般是金属杂质越多电阻越低.
但是多晶硅本体的话,你可以认为是单晶硅.
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多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
在硅晶体中,杂质一般是作为载流子的施主跟受主存在的,一般是金属杂质越多电阻越低.
但是多晶硅本体的话,你可以认为是单晶硅.