在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?

在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?
少子与多子浓度的变化相同吗?

在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
温度变化时候,载流子数目肯定变化.少子与多子变化数目不相同.因为少子浓度和多子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方.二者和不是定值,积是一个定值.

变化

不同

变。温度升高，刚开始由杂质能级电离，多子少子浓度变化不同，此时多子来自杂质及本征激发，而少子来自本征激发。温度再升高，致使杂质全部电离后，半导体处于饱和区。温度继续升高，这时载流子将由本征激发为主，到一定程度，电子空穴浓度会趋于相等。之后的本征激发变化相同。...

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变。温度升高，刚开始由杂质能级电离，多子少子浓度变化不同，此时多子来自杂质及本征激发，而少子来自本征激发。温度再升高，致使杂质全部电离后，半导体处于饱和区。温度继续升高，这时载流子将由本征激发为主，到一定程度，电子空穴浓度会趋于相等。之后的本征激发变化相同。

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